众所周知，我国的半导体产业在经过了几十年的发展之后，在国内已经取得了巨大的进步，而且已经实现了从进口到出口和自主研发，这一次我国成功从芯片制造领域成功突围出了一条新路子。这一次我国能够说是收获颇丰。首先在国内自主研发方面，我国已经研制出了自己最新一代的光刻机技术。该光刻机技术在去年的时候就开始投入生产，而且还取得了不错的成果。另外在去年年底到今年年初之间中国又有三项集成电路封装技术取得新进展。
第一项封装技术是将3D封装应用到集成电路封装领域，我国已经研制出了具有自己专利的3D集成封装技术。该技术的特点是将芯片进行了三维立体的设计，然后再进行3D封装，这样就可以大幅度提高芯片的集成度。
第三项就是将 CMOS电路集成到基板上，这种工艺的优点就应该使得电路板体积减小，还能够让信号传输速度更快。而在之前我国已经成功研制出了第一代 CMOS集成电路封装技术，现在中国第二代该项技术也已经成功研发出了第一代技术，而且它也取得了不错的成果。
另外在国际市场上我们也有了不错的表现。之前因为美国的技术封锁，所以我们只可以从海外进口光刻机等相关设备，而现在已经成功研制出了自己新型的光刻机技术。另外值得一提的是，这一次我国自主研发的光刻机已经在深圳工厂投入生产，而且这个光刻机在性能上已超越了之前进口的美国技术。而且在未来如果我们有需要，我们还可以从海外进口先进工艺光刻机。
另外还有一点值得说一下，这一次我国研制出的光刻机能够说是完全替代了美国在光刻机领域的技术水平。
因为美国现在在光刻机领域处于绝对的垄断地位，而且它还拥有大量的先进专利，所以中国想要超越它是十分艰难的。
不过好在现在中国已经有信心实现从低端向高端领域跨越，这一次我们也可以通过自己努力研发出属于自身个人的光刻机技术。
并且可以在一定程度上完成自主可控，并能将芯片的设计能力完全移植到其他领域之上，这对于中国来说都是一个好消息，所以我们该为这些感到骄傲和自豪。
而且在封装领域中已经实现了世界领先的水平，所以这一次中国芯片产业再也不会受制于人了。