。安装时刺进插座即可。现已有用的有227触点(1.27mm中心距)和447触点(2.54mm中心距)的陶瓷LGA，应用于高速逻辑
LSI电路。LGA与QFP比较，可以以比较小的封装包容更多的输入输出引脚。别的，因为引线的阻抗小，关于高速LSI是很适用的。但因为插座制造杂乱，本钱高，现在基本上不怎么运用。估计往后对其需求会有所增加。
芯片上引线封装。LSI封装技能之一，引线结构的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心邻近制造有凸焊点，用引线缝合进行电气衔接。与本来把引线结构安置在芯片旁边面邻近的结构比较，在相同巨细的封装中包容的芯片达1mm左右宽度。
薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm的QFP，是日本电子机械工业会依据拟定的新QFP外形标准所用的称号。
陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8倍，具有比较好的散热性。封装的结构用氧化铝，芯片用灌封法密封，然后按捺了本钱。是为逻辑LSI开发的一种封装，在天然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚(0.5mm中心距)和160引脚(0.65mm中心距)的LSI逻辑用封装，并于1993年10月开端投入批量生产。
多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。依据基板资料可分为MCM－L，MCM－C和MCM－D三大类。
MCM－L是运用一般的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，本钱较低。
MCM－C是用厚膜技能构成多层布线，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件，与使
用多层陶瓷基板的厚膜混合IC相似。两者无显着不同。布线密度高于MCM－L。
MCM－D是用薄膜技能构成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al作为基板的组件。