第一章 行业概况 1.1 简介 封装技术是半导体制作的完整过程中的关键环节，旨在保护芯片免受物理和化学损害，同时确保芯片与其他电子元件的有效连接。随技术的发展，封装技术能分为传统封装和先进封装两大类，二者在工艺、应用和性能上各有特点
谷歌Tensor G4采用三星FOWLP封装，与三星 Exynos 2400相同工艺
（本篇文篇章共825字，阅读时间约1分钟） 谷歌即将推出的 Tensor G4 芯片非常关注，一手消息显示，该芯片将采用三星的 FOWLP 封装工艺，与三星 Exynos 2400 具有相同的技术特点
全新 Bourns®SinglFuse保护器现可提供 0603 和 1206 封装，且在标准 SMD 尺寸中提供高效的过流保护
2024年3月4日 － 美国柏恩Bourns全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，扩展SinglFuse＆trade； SMD保险丝产品线。在功耗应用中，效率扮演着至关重要的角色，尤其是随着最终产品慢慢的变复杂且功耗更高
Transphorm发布两款4引脚TO-247封装器件，针对高功率服务器、可再次生产的能源、工业电力转换领域扩展产品线
加利福尼亚州戈莱塔 – 2024 年 1 月 17日 — 全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克：TGAN）今日宣布推出两款采用 4 引脚&
目前手机芯片已确定进入了3nm工艺，但目前也只有唯一一款手机Soc进入了3nm，那就是苹果的A7 Pro，另外的全部采用4nm或更成熟的工艺。 那么苹果的A17 Pro是当前性能最强的么？其实并不是的，从测试跑分来看，苹果的A17 Pro只能排在第三名，高通骁龙8Gen3、联发科天玑9300更强
Transphorm推出顶部散热型TOLT封装FET器件， 助力计算、人工智能、能源和汽车电源系统实现卓越的热性能和电气性能
新推出器件是业界首款采用顶部散热的 TOLT 氮化镓晶体管，扩展Transphorm多样化的产品封装组合加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 11 月 29 日 － 代表着下一代电源系统未来的，氮化镓
Transphorm推出TOLL封装FET，将氮化镓定位为支持高功率能耗AI应用的最佳器件
三款新器件为SMD的高功率系统带来了SuperGaN的常闭型（Normally－Off D－Mode）平台优势，此类高功率系统要在高功率密度的情况下实现更高的可靠性和性能，并产生较低的热量加利福尼亚