据悉，三星电子公司在2024三星代工论坛上发布了其最新的芯片封装技能和服务路线图。这是三星初次在揭露技能范畴发布高带宽存储器（HBM）的三维（3D）封装技能，估计该技能将在2025年推出的第六代人工智能芯片HBM4中选用。
现在，HBM芯片主要是选用2.5D技能封装，经过硅中介层与GPU水平衔接。相比之下，3D封装将HBM芯片笔直堆叠在GPU之上，不需要硅中介层或坐落芯片之间的薄基板来答应它们通讯和协同作业。三星将其新封装技能称为SAINT-D（Samsung Advanced Interconnection Technology-D），它将进一步加快数据学习和推理处理，被视为敏捷添加的AI芯片商场的游戏规则改动者。
早在上一年，三星就宣告了其3D AI芯片封装渠道“SAINT”（三星先进互连技能），包括三种前沿技能：用于笔直堆叠SRAM与CPU的“SAINT-S“；完成CPU、GPU等处理器与DRAM内存笔直封装的”SAINT-D“；以及专心于使用处理器（AP）等逻辑芯片堆叠的”SAINT-L“。这一系列技能总算将在本年正式投入使用。
受人工智能核算体系所用元件需求的推进，高端存储芯片需求暴升。三星总裁兼设备解决方案业务部芯片合同制作总经理Siyoung Choi在2024三星代工论坛上表明：“咱们的确生活在AI年代，生成式AI的呈现正在彻底改动技能格式。”
三星表明将在年内推出高带宽内存（HBM）的3D封装服务，并在下一年推出的第六代HBM芯片HBM4。三星将供给HBM 3D封装的一揽子解决方案，将内存业务部分出产的HBM芯片与代工部分拼装的逻辑芯片进行笔直堆叠封装。三星以为，其在逻辑芯片、存储体系和先进封装的归纳才能，将有利于公司在人工智能相关芯片的半导体制作订单方面获得快速发展。
不久前，英伟达联合发起人兼首席执行官黄仁勋发布了其下一代AI渠道Rubin将集成HBM4内存，估计于2026年发布。这一音讯进一步证明了HBM技能在AI范畴的广泛使用远景。回来搜狐，检查更加多